SJ 801-1974 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管
作者:标准资料网 时间:2024-05-17 20:54:04 浏览:9225
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基本信息
| 标准名称： | 3DG181型NPN硅外延平面高频小功率高反压三极管 |
| 英文名称： | Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power high reverse voltage transistors Type 3DG181 |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 半导体三极管 |
| 发布日期： | 1974-10-01 |
| 实施日期： | 1974-10-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 出版社： | 中国电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1974-10-01 |
| 页数： | 8页 |
适用范围
本标准适用于3DG181硅NPN外延平面型高频小功率高泛亚半导体三极管。该产品用于电子设备中作开关及高频放大与振荡用。
该产品除本标准规定外，应符合半导体三极管总技术条件SJ614-73的规定
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体三极管
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