GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
作者:标准资料网 时间:2024-05-19 06:11:51 浏览:9309
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基本信息
| 标准名称： | 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 |
| 英文名称： | Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料化学分析 |
| 替代情况： | 替代GB 1552-1979;GB 5251-1985;GB 6615-1986;被GB/T 1551-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1995-04-18 |
| 实施日期： | 1995-01-02 |
| 首发日期： | 1979-05-26 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 中华人民共和国化学工业部 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 上海有色金属研究所 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：17， 字数：29千字 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。
前言
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法 冶金 金属材料试验 金属材料化学分析
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